proprietà del prodotto
GENERE
DESCRIVERE
categoria
Prodotti discreti a semiconduttore
Transistor – FET, MOSFET – Singolo
produttore
Tecnologie Infineon
serie
CoolGaN®
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Banda di taglio (CT)
Bobina personalizzata Digi-Reel®
Stato del prodotto
interrotto
Tipo FET
Canale N
tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain-source (Vdss)
600V
Corrente a 25°C – Scarico continuo (Id)
31A (TC)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
-
On-resistenza (max) a diversi Id, Vgs
-
Vgs(th) (massimo) a ID differenti
1,6V @ 2,6mA
Vgs (massimo)
-10V
Capacità di ingresso (Ciss) a diversi Vds (max)
380 pF a 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (massima)
125W (TC)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di installazione
Tipo a montaggio superficiale
Imballaggio del dispositivo del fornitore
PG-DSO-20-87
Pacchetto/recinzione
20-PowerSOIC (0,433″, larghezza 11,00 mm)
Numero del prodotto di base
IGOT60
Contenuti multimediali e download
TIPO DI RISORSA
COLLEGAMENTO
Specifiche
IGOT60R070D1
Guida alla selezione del GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT Breve
Altri documenti correlati
GaN in adattatori/caricatori
GaN nei server e nelle telecomunicazioni
Affidabilità e qualificazione di CoolGaN
Perché CoolGaN
GaN nella ricarica wireless
file video
Piattaforma di valutazione HEMT a mezzo ponte CoolGaN™ 600V e-mode con GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™: il nuovo paradigma energetico
Scheda di valutazione PFC totem a ponte intero da 2500 W che utilizza CoolGaN™ 600 V
Specifiche HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT Breve
IGOT60R070D1
Ambiente e classificazione delle esportazioni
ATTRIBUTI
DESCRIVERE
Stato RoHS
Conforme alla specifica ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 ore)
Stato REACH
Prodotti non REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
