proprietà del prodotto
GENERE
DESCRIVERE
categoria
Prodotti discreti a semiconduttore
Transistor – FET, MOSFET – Array
produttore
Tecnologie Infineon
serie
HEXFET®
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Banda di taglio (CT)
Bobina personalizzata Digi-Reel®
Stato del prodotto
disponibile
Tipo FET
2 canali N (doppio)
Funzione FET
porta a livello logico
Tensione drain-source (Vdss)
60 V
Corrente a 25°C – Scarico continuo (Id)
8A
On-resistenza (max) a diversi Id, Vgs
17,8 milliohm @ 8A, 10V
Vgs(th) (massimo) a ID differenti
4V @ 50µA
Carica di gate (Qg) a diverse Vgs (max)
36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) a diversi Vds (max)
1330pF @ 30V
Potenza-max
2W
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di installazione
Tipo a montaggio superficiale
Pacchetto/recinzione
8-SOIC (0,154″, larghezza 3,90 mm)
Imballaggio del dispositivo del fornitore
8-SO
Numero del prodotto di base
IRF7351
Contenuti multimediali e download
TIPO DI RISORSA
COLLEGAMENTO
Specifiche
IRF7351PBF
Altri documenti correlati
Sistema di numerazione parti IR
Moduli di formazione sui prodotti
Circuiti integrati ad alta tensione (driver gate HVIC)
prodotti sponsorizzati
Sistemi di elaborazione dati
Specifiche HTML
IRF7351PBF
Modello EDA/CAD
IRF7351TRPBF di Ultra Librarian
Modello di simulazione
IRF7351 Modello di spezie
Ambiente e classificazione delle esportazioni
ATTRIBUTI
DESCRIVERE
Stato RoHS
Conforme alla specifica ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Stato REACH
Prodotti non REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
